انتشرت شائعات بشكل ملحوظ حول مزايا هاتف جالاكسي إس 10 المرتقب في العام المقبل، وذلك بعد أسبوع واحد من طرح شركة سامسونج هاتفها جالاكسي إس 9.
حيث ذكرت مصادر أن معالج سناب دراغون 855 سيكون عبارة عن شريحة بمعيارية 7 نانو متر، لكن شركة كوالكوم المصنعة لم تؤكد الأمر بعد بشكل رسمي.
كما أنه سيكون أول موديم تجري صناعته بتقنية 7 نانومتر، ويستطيع دعم سرعات LTE تصل إلى 2 غيغابت فى الثانية.
وجاء الموديم الجديد خلفا لشريحة Snapdragon X20 التي يجرى استخدامها من قبل معالجات Snapdragon 845 المصنعة بتقنية 10nm SoC.
مع العلم أن هذه الشائعات جعلت عشاق سامسونج يترقبون سرعة إنترنت غير مسبوقة في هاتف جالاكسي إس 10، خلال السنة المقبلة على اعتبار أن المعالج الثوري لن يكون جاهزا إلا في وقت متأخر من 2018.
كما يترقب عشاق الهواتف الذكية إطلاق شركة سامسونج لهاتف جالاكسي إس 9 في 25 فبراير الحالي.